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Beliebt:AD8676ARZ2SC4617G-R-AE3-R拨码开关EI-04NSS60601MZ4T1GWiderständeSteckverbinder, Verbindungen / Schalter
Diskrete Halbleiterprodukte / Optoelektronik

ON Semiconductor NSS60601MZ4T1G

Basisinformationen
MPN
NSS60601MZ4T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte / Optoelektronik
Gehäuse
SOT-223
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Beschreibung

-55℃~+150℃ 1 NPN 100MHz 100nA 150 2W 40mV 60V 6A 6V NPN SOT-223 Bipolar (BJT) ROHS

Technische Parameter

Collector-Emitter Voltage (VCEO)
60 V
Current - Collector Cutoff
1.0000000000000001e-7 A
Current - Collector(Ic)
6 A
DC Current Gain
150
Emitter-Base Voltage (VEBO)
6 V
Number
1
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C
Power Dissipation (Pd)
2 W
Transition Frequency (F T)
100000000 Hz
VCE Saturation(VCE(sat))
0.04 V
Type
NPN
Basic/Extended
Extended
Package
SOT-223
Status
Active
Manufacturer
ON Semiconductor

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