Diskrete Halbleiterprodukte / Optoelektronik

UTC Unisonic Tech 2SD1624G-T-AB3-R

Name: 2SD1624G-T-AB3-R
Brand: UTC Unisonic Tech

Basisinformationen

MPN

2SD1624G-T-AB3-R

Hersteller

UTC Unisonic Tech

Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte / Optoelektronik

Gehäuse

SOT-89

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Beschreibung

1 NPN 150MHz 190mV 1uA 200 3A 500mW 50V 6V NPN SOT-89 Bipolar (BJT) ROHS

Technische Parameter

Collector Current (Ic)

3 A

Collector Cut-Off Current (Icbo)

0.000001 A

Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO)

50 V

Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @ IC, Ib)

0.19 V

DC Current Gain (H Fe@IC,VCE)

200 @ 0.1 A 2 V

Power Dissipation (Pd)

0.5 W

Transistor Type

NPN

Transition Frequency (F T)

150000000 Hz

Collector-Emitter Voltage (VCEO)

50 V

Current - Collector Cutoff

0.000001 A

Current - Collector(Ic)

3 A

DC Current Gain

200

Emitter-Base Voltage (VEBO)

6 V

Number

VCE Saturation(VCE(sat))

0.19 V

Type

NPN

Basic/Extended

Extended

Package

SOT-89

Status

Active

Manufacturer

UTC Unisonic Tech

UTC Unisonic Tech 2SD1624G-T-AB3-R

Beschreibung

Technische Parameter

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