Diskrete Halbleiterprodukte / Optoelektronik

UTC Unisonic Tech 2SC4617G-R-AE3-R

Name: 2SC4617G-R-AE3-R
Brand: UTC Unisonic Tech

Basisinformationen

MPN

2SC4617G-R-AE3-R

Hersteller

UTC Unisonic Tech

Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte / Optoelektronik

Gehäuse

SOT-23

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Beschreibung

1 NPN 100nA 150mA 180 180MHz 200mW 400mV 50V 7V NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS

Technische Parameter

Collector Current (Ic)

0.15 A

Collector Cut-Off Current (Icbo)

1.0000000000000001e-7 A

Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO)

50 V

Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @ IC, Ib)

0.4 V

DC Current Gain (H Fe@IC,VCE)

180 @ 0.001 A 6 V

Power Dissipation (Pd)

0.2 W

Transistor Type

NPN

Transition Frequency (F T)

180000000 Hz

Collector-Emitter Voltage (VCEO)

50 V

Current - Collector Cutoff

1.0000000000000001e-7 A

Current - Collector(Ic)

0.15 A

DC Current Gain

180

Emitter-Base Voltage (VEBO)

7 V

Number

VCE Saturation(VCE(sat))

0.4 V

Type

NPN

Basic/Extended

Extended

Package

SOT-23

Status

Active

Manufacturer

UTC Unisonic Tech

UTC Unisonic Tech 2SC4617G-R-AE3-R

Beschreibung

Technische Parameter

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