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放大器与比较器

onsemi LM211DR2G

基本信息

料号

LM211DR2G

制造商

onsemi

类目

放大器与比较器

封装

SOIC-8

市场参考价阶梯

仅供参考，实际价格请通过询价确认。

起订数量

CNY

USD

≥ 1

0.31504

0.046865

≥ 10

0.30789

0.045802

≥ 30

0.3025

0.045

≥ 100

0.29887

0.04446

≥ 102

0.29887

0.04446

≥ 104

0.29887

0.04446

汇率日期：2026/9/17

参考库存：671,943 pcs

仅作参考，不代表可履约库存或交付承诺；请以实单/询价确认为准。

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描述

-25℃~+85℃ 1 1.7nA 13.8mA 200ns 45nA 5V~30V 700uV Built-in hysteresis TTL、CMOS SOIC-8 Comparators ROHS

技术参数

Input Bias Current (Ib)

1e-7 A

Input Offset Voltage (VOS)

0.003 V

Number of Elements

1

Operating Temperature

-25°C ~ 85°C

Output Type

DTL, MOS, Open Collector, Open Emitter, RTL, TTL

Supply Current

0.006 A

Supply Voltage

15 V

Features

Built-in hysteresis

Ib - Input Bias Current

4.5000000000000006e-8 A

Input Offset Current(IOS)

1.7000000000000001e-9 A

Number of Channels

1

Output Mode

TTL, CMOS

Propagation Delay Time

2.0000000000000002e-7

Quiescent Current

0.013800000000000002 A

Single Supply

5 V ~ 30 V

VOS - Input Offset Voltage

0.0007 V

Basic/Extended

Extended

Package

SOIC-8

Status

Active

Manufacturer

onsemi

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Input Bias Current (Ib)2.5e-7 A

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Current - Input Bias(Ib)2e-9 A

Gain Bandwidth Product(GBP)10000000 Hz

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