Диоды / Транзисторы / Оптоэлектроника

ON Semiconductor NSS60601MZ4T1G

Name: NSS60601MZ4T1G
Brand: ON Semiconductor

Основная информация

MPN

NSS60601MZ4T1G

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Диоды / Транзисторы / Оптоэлектроника

Корпус

SOT-223

ЗапроситьОтправьте запрос — мы вернёмся с ценой.

Описание

-55℃~+150℃ 1 NPN 100MHz 100nA 150 2W 40mV 60V 6A 6V NPN SOT-223 Bipolar (BJT) ROHS

Технические параметры

Collector-Emitter Voltage (VCEO)

60 V

Current - Collector Cutoff

1.0000000000000001e-7 A

Current - Collector(Ic)

6 A

DC Current Gain

150

Emitter-Base Voltage (VEBO)

6 V

Number

Operating Temperature

-55°C ~ 150°C

Power Dissipation (Pd)

2 W

Transition Frequency (F T)

100000000 Hz

VCE Saturation(VCE(sat))

0.04 V

Type

NPN

Basic/Extended

Extended

Package

SOT-223

Status

Active

Manufacturer

ON Semiconductor

Похожие компоненты

Смотреть все →

2SC4617G-R-AE3-R

UTC Unisonic TechSOT-23

ПодкатегорияБиполярные транзисторы (BJT)

Collector Current (Ic)0.15 A

Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO)50 V

Категория

Диоды / Транзисторы / Оптоэлектроника

2SD669AG-C-TN3-R

UTC Unisonic TechTO-252-2(DPAK)

ПодкатегорияБиполярные транзисторы (BJT)

Collector Current (Ic)1.5 A

Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO)160 V

Категория

Диоды / Транзисторы / Оптоэлектроника

2SD1624G-T-AB3-R

UTC Unisonic TechSOT-89

ПодкатегорияБиполярные транзисторы (BJT)

Collector Current (Ic)3 A

Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO)50 V

Категория

Диоды / Транзисторы / Оптоэлектроника

2SC3648G-T-AB3-R

UTC Unisonic TechSOT-89

ПодкатегорияБиполярные транзисторы (BJT)

Collector Current (Ic)0.7000000000000001 A

Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO)160 V

Категория

Диоды / Транзисторы / Оптоэлектроника